规格
种类 |
测量中心距离200mm型 |
测量中心距离400mm型 |
型
号 |
NPN
输出 |
HG-C1200 |
HG-C1400 |
PNP
输出 |
HG-C1200-P |
HG-C1400-P |
符合规则及认证 |
EMC适合指令、FDA规则、UL/c-UL认证(注6) |
测量中心距离 |
200mm |
400mm |
测量范围 |
±80mm |
±200mm |
重复精度 |
200μm |
300μm(测量距离200~400mm)
800μm(测量距离400~600mm) |
直线性 |
±0.2%F.S. |
±0.2%F.S.(测量距离200~400mm)
±0.3%F.S.(测量距离400~600mm) |
温度特性 |
0.03% F.S./℃ |
光源 |
红色半导体激光 2级[JIS/IEC/GB/FDA(注2)]
最大输出:1mW、投光波峰波长:655nm |
光束直径
(注3) |
约ø300μm |
约ø500μm |
电源电压 |
12~24V DC±10% 脉动P-P10%以下 |
消耗电流(注4) |
40mA以下(电源电压24V DC时)、65mA以下(电源电压12V DC时) |
控制输出 |
NPN开路集电极晶体管
・ 最大流入电流:50mA
・外加电压:30V DC以下(控制输出-0V之间)
・ 剩余电压:1.5V以下(流入电流50mA时)
・ 漏电流:0.1mA以下
PNP开路集电极晶体管
・ 最大流入电流:50mA
・ 外加电压:30V DC以下(控制输出-+V之间)
・ 剩余电压:1.5V以下(流出电流50mA时)
・ 漏电流:0.1mA以下 |
|
输出动作 |
入光时ON/非入光时ON 可切换 |
短路保护 |
配备(自动恢复) |
模拟输出 |
模拟电压输出 |
・输出范围:0~5V(报警时:+5.2V)
・输出阻抗:100Ω |
模拟电流输出(注5) |
・输出范围:4~20mA(报警时:0mA)
・输出阻抗:300Ω |
反应时间 |
1.5ms/5ms/10ms 可切换 |
外部输入 |
〈NPN输出型〉
NPN无接点输入
・输入条件
无效:+8~+V DC或开路
有效:0~+1.2V DC
・输入阻抗:约10kΩ
PNP无接点输入
・输入条件
无效:0~+0.6V DC或开路
有效:+4~+V DC
・ 输入阻抗:约10kΩ |
污损度 |
2 |
使用标高 |
2,000m以下 |
耐
环
境
性 |
保护构造
|
IP67(IEC) |
使用环境
温度 |
-10~+45℃(注意不可结露、结冰)、储存时:-20~+60℃ |
使用环境
湿度 |
35%RH~85%RH、储存时:35%RH~85%RH |
使用环境
照度 |
白炽灯:受光面照度3,000 lx以下 |
耐振动 |
耐久10~55Hz(周期1分钟) 双振幅1.5mm XYZ各方向2小时 |
耐冲击 |
耐久500m/s2(约50G) XYZ各方向3次 |
电缆 |
0.2mm2 5芯复合电缆,长2m |
延长电缆 |
0.3mm2以上电缆 最多延长至全长10m
|
材质 |
本体外壳:压铸铝 前罩:丙烯基 |
重量 |
本体重量:约35g(不含电缆),约85g(含电缆) |
(注1): |
未指定测量条件时,使用条件如下:电源电压:24V DC 环境温度:+20℃ 响应时间:10ms、测量中心距离的模拟输出值。对象物体:白色陶瓷。 |
(注2): |
根据FDA规则中Laser Notice No.50(2007.6.24)规定,以FDA规则(21 CFR 1040.10以及1040.11)为基准。 |
(注3): |
测量中心距离的大小。按照中心光强度的1/e2(约13.5%)定义。
如果定义区域外有漏光,并且检测点范围有高于检测点本身的强反射,测定结果可能会受到影响。 |
(注4): |
从2016年6月生产的产品开始进行规格变更。
2016年5月前生产的产品: 40mA以下(电源电压24V DC时)、60mA以下(电源电压12V DC时) |
(注5): |
从2016年6月生产的产品开始追加了模拟电流输出功能。 |
(注6): |
自2017年3月生产的产品开始符合UL/c-UL认证。 |
种类
|
测量中心距离30mm型 |
测量中心距离50mm型 |
测量中心距离100mm型 |
型
号 |
NPN
输出 |
HG-C1030 |
HG-C1050 |
HG-C1100 |
PNP
输出 |
HG-C1030-P |
HG-C1050-P |
HG-C1100-P |
符合规则及认证 |
EMC适合指令、FDA规则、UL/c-UL认证(注6) |
测量中心距离 |
30mm |
50mm |
100mm |
测量范围 |
±5mm |
±15mm |
±35mm |
重复精度 |
10μm |
30μm |
70μm |
直线性 |
±0.1% F.S. |
温度特性 |
0.03% F.S./℃ |
光源 |
红色半导体激光 2级(JIS/IEC/GB)/Ⅱ级(FDA)(注2)
最大输出:1mW、投光波峰波长:655nm |
光束直径
(注3) |
约ø50μm |
约ø70μm |
约ø120μm |
电源电压 |
12~24V DC±10% 脉动P-P10%以下 |
消耗电流(注4) |
40mA以下(电源电压24V DC时)65mA以下(电源电压12V DC时) |
控制输出 |
|
〈NPN输出型〉
NPN开路集电极晶体管
・ 最大流入电流:50mA
・ 外加电压:30V DC以下(控制输出-0V之间)
・ 剩余电压:1.5V以下(流入电流50mA时)
・ 漏电流:0.1mA以下
〈PNP输出型〉
PNP开路集电极晶体管
・ 最大源电流:50mA
・ 外加电压:30V DC以下(控制输出-+V之间)
・ 剩余电压:1.5V以下(流出电流50mA时)
・ 漏电流:0.1mA以下 |
输出动作 |
入光时ON/非入光时ON 可切换 |
短路保护 |
配备(自动恢复) |
模拟输出 |
模拟电压输出 |
・输出范围:0~5V(报警时:+5.2V)
・输出阻抗:100Ω |
模拟电流输出(注5) |
・输出范围:4~20mA(报警时:0mA)
・输出阻抗:300Ω |
反应时间 |
1.5ms/5ms/10ms 可切换 |
外部输入 |
〈NPN输出型〉
NPN无接点输入
・输入条件
无效:+8~+V DC或开路
有效:0~+1.2V DC
・输入阻抗:约10kΩ
PNP无接点输入
・输入条件
无效:0~+0.6V DC或开路
有效:+4~+V DC
・ 输入阻抗:约10kΩ |
污损度 |
2 |
使用标高 |
2,000m以下 |
耐环境性 |
保护构造
|
IP67(IEC) |
使用环境
温度 |
-10~+45℃(注意不可结露、结冰)、存储时20~+60℃ |
使用环境
湿度 |
35%RH~85%RH,存储时:35%RH~85%RH |
使用环境
照度 |
白炽灯:受光面照度3,000 lx以下 |
电缆 |
0.2mm2 5芯复合电缆,长2m |
材质 |
本体外壳:压铸铝 前罩:丙烯基 |
重量 |
本体重量:约35g(不含电缆),约85g(含电缆) |
(注1): |
未指定测量条件时,使用条件如下:电源电压:24V DC 环境温度:+20℃ 响应时间:10ms、测量中心距离的模拟输出值。对象物体:白色陶瓷。 |
(注2): |
根据FDA规则中Laser Notice No.50(2007.6.24)规定,以FDA规则(21 CFR 1040.10以及1040.11)为基准。 |
(注3): |
测量中心距离的大小。按照中心光强度的1/e2(约13.5%)定义。
如果定义区域外有漏光,并且检测点范围有高于检测点本身的强反射,测定结果可能会受到影响。 |
(注4): |
从2016年6月生产的产品开始进行规格变更。
2016年5月前生产的产品: 40mA以下(电源电压24V DC时)、60mA以下(电源电压12V DC时) |
(注5): |
从2016年6月生产的产品开始追加了模拟电流输出功能。 |
(注6): |
自2017年3月生产的产品开始符合UL/c-UL认证。 |
种类
|
测量中心距离50mm型 |
型
号 |
NPN
输出 |
HG-C1050L |
PNP
输出 |
HG-C1050L-P |
符合规则及认证 |
EMC适合指令、UL/c-UL认证(注4) |
测量中心距离 |
50mm |
测量范围 |
±4mm |
重复精度 |
20μm |
直线性 |
±0.3% F.S. |
温度特性 |
0.03% F.S./℃ |
光源 |
红色半导体激光 1级(JIS/IEC/GB)
最大输出:0.2mW、发光光束波长:655nm |
光束直径
(注2) |
约ø150μm |
受光元件 |
CMOS图形传感器 |
电源电压 |
12V~24V DC±10% 脉动P-P10% |
消耗电流 |
40mA以下(电源电压24V DC时)、60mA以下(电源电压12V DC时) |
控制输出 |
|
〈NPN输出型〉
NPN开路集电极晶体管
・ 最大流入电流:50mA
・ 外加电压:30V DC以下(控制输出和0V之间)
・ 剩余电压:1.5V以下(流入电流50mA下)
・ 漏电流:0.1mA以下
〈PNP输出型〉
PNP开路集电极晶体管
・ 最大源电流:50mA
・ 外加电压:30V DC以下(控制输出和+V之间)
・ 剩余电压:1.5V以下(流出电流50mA下)
・ 漏电流:0.1mA以下 |
输出动作 |
入光时ON/非入光时ON 可切换 |
短路保护 |
配备(自动恢复) |
模拟输出 |
电压 |
・输出范围:0V~5V(报警时:+5.2V)
・输出阻抗:100Ω |
电流 |
・输出范围:4mA~20mA(报警时:0mA)
・负载阻抗:300Ω最大 |
反应时间 |
1.5ms/5ms/10ms 可切换 |
外部输入 |
〈NPN输出型〉
NPN无接点输入
・输入条件
无效:+8V~+V DC或者开放
有效:0V~+1.2V DC
・输入阻抗:约10kΩ
PNP无接点输入
・输入条件
无效:0V~+0.6V DC或者开放
有效:+4~+V DC
・ 输入阻抗:约10kΩ |
保护构造 |
IP67(IEC) |
污染度 |
2 |
使用环境温度 |
-10℃~+45℃(注意不可结露、结冰)、存储时:-20℃~+60℃ |
使用环境湿度 |
35%RH~85%RH、存储时:35%RH~85%RH |
使用环境照度 |
白炽灯:受光面照度3,000 lx以下 |
使用标高 |
2,000m以下 |
电缆 |
0.2mm2 5芯复合电缆长2m |
材质 |
本体外壳:铝铸件 前面盖板:丙烯基 |
重量 |
约35g(不含电缆)、约85g(含电缆) |
适用规格 |
符合EMC指令 |
(注1): 未指定测量条件时,使用条件如下:电源电压:24V DC、环境温度:+20℃、反应时间:10ms、测量中心 距离的模拟输出值。对象物体:白色陶瓷。
(注2): 该值为测量中心距离上的值。按照中心光强度的1/e2(约13.5%)定义这些值。如果定义区域外有漏光,并且 检测点范围有高于检测点本身的强反射,检测结果可能会受到影响。
(注3): 测量中心距离的大小。按照中心光强度的1/e2(约13.5%)定义。
如果定义区域外有漏光,并且检测点范围有高于检测点本身的强反射,测定结果可能会受到影响。
(注4): HL-C1050L(-P)自2017年3月生产的产品开始符合UL/c-UL认证。
10μm高精度检测※,CMOS型微型激光位移传感器HG-C诞生!
※HG-C1030(-P)的情况
2017年3月 取得UL/c-UL认证。
2016年6月 增加模拟电流输出。
关于模拟输出,“模拟电压输出”“模拟电流输出”可任选其一。
特点
配备0~+5V的模拟电压输出、4~20mA的模拟电流输出※2
用测距传感器规定测定值
・ 直线性:±0.1%F.S.※1
・ 温度特性:0.03%F.S./℃
※1 : HG-C1030/HG-C1050/HG-C1100的情况
不仅能以mm为单位显示数值,还能读取模拟输出数值。
读入到PLC+模拟量单元,还能执行各种运算,并存储(记录)测量值。
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※2 :从2016年6月生产的产品开始,也可选择模拟电流输出选项。
<紧凑>
形状达到业内小型级别※的CMOS激光传感器 (※2015年5月,根据本公司调查)
设计出内部安装有镜面的新型光学系统
一般通过延长受光部分与受光元件(CMOS)之间的光路长度,从而可获得精度更高、更稳定的测量值,但是另一方面,传感器的进深方向会变长,机身形状也会变大。HG-C系列设计出内部安装有反射镜的新型光学系统,并缩短进深方向的尺寸,同时又可实现与变位传感器相媲美的高精度测量。
|
|
采用铝铸外壳,使机身免受变形和温度的困扰
采用同时兼顾轻量与强度的铝铸外壳。虽然尺寸小巧,但是机身坚固,从而减少外壳变形和温度等不稳定因素对测量精度所产生的影响。
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<占绝对优势的稳定检测>
实现1/100mm的高精度检测※
※HG-C1030(-P)的情况
采用高精度CMOS传感器&独特的算法
采用位移传感器所使用的高精度CMOS影像传感器,以及位移传感器一直使用的本公司独特的算法,使距离设定反射型传感器实现前所未有的高精度(1/100mm)。
|
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配备便利的功能
教导&窗口比较模式
存在检测物体的状态下,只需按下 “TEACH”键,即可简单地设定基准值。
另外,在2个基准值范围内即判为OK,超出范围即判为NG,1个输出即可做出判定。
|
针对与检测物体基准面之间的距离,设置上限值和下限值,想要通过上下限的范围
进行判别时,使用该方式。
|
|
执行3点(检测物体A、B、C)教导时,教导值将会自动按照升序(教导值1、2、3)重新排列数值,在教导值1与教导值2之间设定基准值,并在教导值2与教导值3之间设定基准值,从而设定基准值范围。
|
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除教导&窗口比较模式外,还配备有[上升沿微分模式]、[下降沿微分模式]以及[通常检测模式]。
在通常检测模式下,可使用基本教导方法中的“2点教导”,存在微小物体和背景物体的情况下,
还可使用便捷的[限位教导]。
|
设定定时功能
可设定定时器的动作:“OFF延迟定时器”、“ON延迟定时器”、“单触式定时器”、“无定时器”。定时时间固定为5ms。
|
OFF延迟定时器
<功能> 使输出信号延迟5ms。
<用途> 连接机器的响应速度较慢,检测时间无法满足其要求时,宜使用该设定。
ON延迟定时器
<功能> 从检测时开始,使5ms内的输出信号无效。
<用途> 想要使短时间信号无效的情况下,以及需要利用时间差进行控制的情况下,可方便地使用该设定。
单触式定时器
<功能>从检测时开始,仅在5ms内发送输出信号。
<用途> 根据连接机器的输入条件,信号时间必须保持恒定时,宜使用该设定。另外,想要使短时间的信号延长至必要的时间宽度时,也可有效使用该设定。
|
调零功能
该功能可使测量值强制 “调零”。可任意决定零点。以检测物体的高度为基准值,测量其公差的情况下,或者测量段差时,可方便地使用该功能。
|
|
※调零功能有效时,调零指示灯(黄色)将会点亮。
※峰值·谷值保持功能有效时,如执行调零功能,则会使所保持的测量值复位。
※显示设定设为偏移时,将无法设置调零功能。 |
|
设定外部输入功能
可从以下4个功能中选择1个分配到外部输入线:“调零功能”、“教导功能”、“停止投光功能”、“触发功能”。
|
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设定显示功能
相对于检测物体的移动方向,可选择以下三种显示方法 :“通常”、“反转”、“偏移”。
例:HG-C1050(-P)
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峰值、谷值保持功能
配备有峰值保持功能或者谷值保持功能。
峰值保持功能:该功能有效时,将会保持测量值的最大值,显示并输出保持值。
谷值保持功能:该功能有效时,将会保持测量值的最小值,显示并输出保持值。
※不能同时设定峰值保持功能和谷值保持功能。
※设定峰值保持功能或者谷值保持功能时,如执行调零功能,则会使所保持的测量值复位。
基准值微调功能
可在测量画面中微调基准值。教导后,也可对基准值进行微调。
按键锁定功能
可使按键操作失效,以免错误地更改已设定的条件。
※关于其他功能以及各功能的设定步骤,请参照「使用注意事项 PRO模式设定」。
微晶石平整度检测新利器[HG-C1050L]
陶瓷行业特别推荐
专用方式,有效区分表层(透明)与底层(非透明)平面,准确测量表层的平整度。
搭载CMOS,高精度&小尺寸兼顾
继承HG-C1000搭载高精度CMOS及小尺寸的特性,在此基础上追加微晶石检测专用方式,实现光泽表面的精准检测。
双重模拟输出可切换
配备模拟电流4mA~20mA输出,模拟电压0V~5V输出,两种输出方式可切换,用户按需选择。(默认:模拟电流输出)